RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
71
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3469
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link