RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3469
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link