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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
71
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2451
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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