RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
71
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
47
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2537
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link