RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
71
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2537
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link