RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
71
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
47
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2537
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link