RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
50
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
50
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2512
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link