Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

39 50

周辺 22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

5 15.3

テスト平均値

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

10.9 1,597.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 5300

周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 50
読み出し速度、GB/s

5,022.9 15.3
書き込み速度、GB/秒

1,597.0 10.9
メモリ帯域幅、mbps

5300 25600

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

753 2512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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