Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 50
    Rund um 22% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 1,597.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5,022.9 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,597.0 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    753 left arrow 2512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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