RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
50
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
50
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2512
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link