RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2713
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link