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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2713
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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