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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
16.5
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2713
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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