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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3199
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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