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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3199
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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