PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.4 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.2 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 16.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 13.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 3033
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons