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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3033
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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