RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3033
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link