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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3033
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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