PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

PNY Electronics PNY 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 54
    Autour de 50% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.2 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.3 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 10600
    Autour de 2.42 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 54
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 15.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 14.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 2938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons