RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2938
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link