RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2938
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link