Comparaison de la RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 31

Autour de 13% latence réduite

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 13.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 10600

Autour de 2.42 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PNY Electronics PNY 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2274 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns