RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3649
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link