PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.7 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 38
    Autour de -36% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.1 left arrow 10.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.7 left arrow 13.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.0 left arrow 10.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2753 left arrow 2179
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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