Comparaison de la RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Note globale

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 13.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 38

Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.1 10.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 12800

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2753 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns