RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2179
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link