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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
16.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2179
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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