RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2179
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link