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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de 13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.9
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2608
2264
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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