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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
39
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
39
Velocità di lettura, GB/s
13.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2608
2264
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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