RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
52
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2236
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link