RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
52
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2236
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link