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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
52
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2236
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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