RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
52
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2236
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link