Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Note globale
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    23.7 left arrow 13.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    18.3 left arrow 7.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.5 left arrow 23.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.8 left arrow 18.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1932 left arrow 4124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons