RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.7
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
23.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
4124
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link