RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
4124
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link