RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
4124
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link