RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
INTENSO 5641160 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2613
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link