RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641160 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2613
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link