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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
INTENSO 5641160 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2613
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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