RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против INTENSO 5641160 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
INTENSO 5641160 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 5641160 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2613
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link