RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3917
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link