RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 17.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 59
    周辺 -136% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 17.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 3917

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
メモリRAM