RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3917
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link