RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
59
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3206
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600+ 2GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link