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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
59
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3206
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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