RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
4047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KX830D-HYC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link