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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
46
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
4047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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