RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
4047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link