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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
46
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
3200
Autour de 7.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
43
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
23400
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2794
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calculate
Absolute Latency
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