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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
3200
左右 7.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
43
读取速度,GB/s
2,909.8
15.0
写入速度,GB/s
1,519.2
13.0
内存带宽,mbps
3200
23400
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2794
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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