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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
46
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
3200
Rund um 7.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
23400
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2794
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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